Локализация алюминия в слоях ZnO:Al, полученных методом магнетронного распыления
- Авторы: Асваров А.Ш.1, Муслимов А.Э.1, Каневский В.М.1, Ахмедов А.К.2, Абдуев А.Х.3, Калажоков З.Х.4
-
Учреждения:
- Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ “Курчатовский институт”
- Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского федерального исследовательского центра РАН
- Государственный университет просвещения
- Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова
- Выпуск: Том 69, № 2 (2024)
- Страницы: 303-313
- Раздел: ПОВЕРХНОСТЬ, ТОНКИЕ ПЛЕНКИ
- URL: https://permmedjournal.ru/0023-4761/article/view/673211
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0023476124020147
- EDN: https://elibrary.ru/YSGBUY
- ID: 673211
Цитировать
Аннотация
Исследованы особенности локализации алюминия и механизм формирования донорных центров в слоях ZnO:Al, синтезированных методом высокочастотного магнетронного распыления. Показано, что алюминий преимущественно локализуется на межзеренных границах оксида цинка в собственной оксидной фазе. Механизм окисления Al на межзеренных границах существенным образом зависит от содержания кислорода в рабочей камере: при распылении в атмосфере чистого аргона в условиях дефицита кислорода окисление алюминия происходит в результате взаимодействия с кислородом поверхностного слоя кристаллитов оксида цинка с формированием на межзеренных границах поверхностных донорных центров. С увеличением парциального давления кислорода алюминий преимущественно окисляется кислородом из газовой атмосферы, формируя на межзеренных границах собственную барьерную фазу.
Полный текст

Об авторах
А. Ш. Асваров
Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ “Курчатовский институт”
Email: a_abduev@mail.ru
Россия, Москва
А. Э. Муслимов
Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ “Курчатовский институт”
Email: a_abduev@mail.ru
Россия, Москва
В. М. Каневский
Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ “Курчатовский институт”
Email: a_abduev@mail.ru
Россия, Москва
А. К. Ахмедов
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского федерального исследовательского центра РАН
Email: a_abduev@mail.ru
Россия, Махачкала
А. Х. Абдуев
Государственный университет просвещения
Автор, ответственный за переписку.
Email: a_abduev@mail.ru
Россия, Мытищи
З. Х. Калажоков
Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова
Email: a_abduev@mail.ru
Россия, Нальчик
Список литературы
- Boscarino S., Crupi I., Mirabella S. et al. // Physica A. 2014. V. 116. P. 1287. https://doi.org/10.1007/s00339-014-8222-9
- Afre R.A., Sharma N., Sharon M. et al. // Rev. Adv. Mater. Sci. 2018. V. 53. P. 79.
- Cohen D.J., Barnett S.A. // J. Appl. Phys. 2005. V. 98. P. 053705. https://doi.org/10.1063/1.2035898
- Akhmedov A., Abduev A., Murliev E. et al. // Materials. 2023. V. 16. P. 3740. https://doi.org/10.3390/ma16103740
- Meng F., Ge F., Chen Y. et al. // Surf. Coat. Technol. 2018. V. 365. P. 2. https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2018.04.013
- Abduev A., Akhmedov A., Asvarov A. et al. // SID Symposium Digest of Technical Papers. 2019. V. 50. P. 977. https://doi.org/10.1002/sdtp.13089
- Asvarov A.S., Abduev A.K., Akhmedov A.K. et al. // Materials. 2022. V. 15. P. 5862. https://doi.org/10.3390/ma15175862
- Ellmer K., Mientus R. // Thin Solid Films. 2008. V. 516. P. 5829. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2007.10.082
- Wu Y., Giddings A.D., Verheijen M.A. et al. // Chem. Mater. 2018. V. 30. P. 1209. https://doi.org/10.1021/acs.chemmater.7b03501
- Jose J., Khadar M.A. // Mater. Sci. Eng. A. 2001. V. 304–306. P. 810. https://doi.org/10.1016/S0921-5093(00)01579-3
- Reiche M., Kittler M., Krause H.M. // Solid State Phenom. 2013. V. 205–206. P. 293. https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.205-206.293
- Лашкова Н.А., Максимов А.И., Матюшкин Л.Б. и др. // Бутлеровские сообщения. 2015. Т. 42. № 6. С. 48.
- El-Shaarawy M.G., Khairy M., Mousa M.A. // Adv. Powder Technol. 2020. V. 31. P. 1333. https://doi.org/10.1016/j.apt.2020.01.009
- Liu J., Huang X., Duan J. et al. // Mater. Lett. 2005. V. 59. P. 3710. https://doi.org/10.1016/j.matlet.2005.06.043
- Abduev A., Akhmedov A., Asvarov A. // J. Phys. Conf. Ser. 2011. V. 291. P. 012039. https://doi.org/10.1088/1742-6596/291/1/012039
- Khlayboonme S.T., Thowladda W. // Mater. Res. Express. 2021. V. 8. P. 076402. https://doi.org/10.1088/2053-1591/ac113d
- Nasr B., Dasgupta S., Wang D. et al. // J. Appl. Phys. 2010. V. 108. P. 103721. https://doi.org/10.1063/1.3511346
- Novák P., Kozák T., Šutta P. et al. // Phys. Status Solidi. A. 2018. V. 215. https://doi.org/10.1002/pssa.201700951
- Sieber I., Wanderka N., Urban I. et al. // Thin Solid Films. 1998. V. 330. P. 108. https://doi.org/10.1016/S0040-6090(98)00608-7
- Bikowski A., Rengachari M., Nie M. et al. // APL Mater. 2015. V. 3. P. 060701. https://doi.org/10.1063/1.4922152
- Fiermans L., Vennik J., Dekeyser W. // J. Surf. Sci. 1975. V. 63. P. 390.
- Semiletov A.M., Chirkunov A.A., Grafov O.Y. // Coatings. 2022. V. 12. P. 1468. https://doi.org/10.3390/coatings12101468
- Potter D.B., Parkin I.P., Carmal C.J. // RSC Adv. 2018. V. 8. P. 33164. https://doi.org/10.1039/c8ra06417b
- Daza L.G., Martin-Tovar E.A., Castro-Rodriguez R. // Inorg. Organomet. Polym. 2017. V. 27. P. 1563. https://doi.org/10.1007/s10904-017-0617-6
- Li L., Fang L., Zhou X.J. et al. // J. Electron Spectros. Relat. Phenomena. 2009. V. 173. P. 7. https://doi.org/10.1016/j.elspec.2009.03.001
- Tong C., Yun J., Chen Y.-J. et al. // ACS Appl. Mater. Interfaces. 2016. V. 8. P. 3985. https://doi.org/10.1021/acsami.5b11285
- Sky T.N., Johansen K.M., Venkatachalapathy V. et al. // Phys. Rev. B. 2018. V. 98. P. 245204. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.98.245204
- Kim H.-K., Seong T.-Y., Kim K.-K. et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 2004. V. 43. P. 976. https://doi.org/10.1143/JJAP.43.976
- Wei J., Ogawa T., Feng B et al. // Nano Lett. 2020. V. 20. P. 2530. https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.9b05298
- Моррисон С. Химическая физика поверхности твердого тела. М.: Мир, 1980. 488 с.
- Ryabko A.A., Mazing D.S., Bobkov A.A. et al. // Phys. Solid State. 2022. V. 64. P. 1657. https://doi.org/10.21883/PSS.2022.11.54187.408
Дополнительные файлы
