Mikroèlektronika
ISSN 0544-1269 (Print)
Мәзір
Мұрағат
Бастапқы
Журнал туралы
Редакция тобы
Редакция саясаты
Авторларға арналған ережелер
Журнал туралы
Шығарылымдар
Іздеу
Ағымдағы шығарылым
Ретракцияланған мақалалар
Мұрағат
Байланыс
Жазылу
Барлық журналдар
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
авторлар
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Категориялар
Ақпарат
Оқырмандар үшін
Авторларға
Кітапханалар үшін
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
Förster effect
bipolar transistor
charge qubit
dissociation
etching
fluorocarbon gases
gas temperature
ionization
kinetics
mechanism
memristor
modeling
molecular beam epitaxy
plasma
polymerization
quantum dot
radiation intensity
reduced electric field strength
resistive switching
silicon
specific power
Ағымдағы шығарылым
Том 53, № 6 (2024)
×
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
авторлар
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Категориялар
Ақпарат
Оқырмандар үшін
Авторларға
Кітапханалар үшін
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
Förster effect
bipolar transistor
charge qubit
dissociation
etching
fluorocarbon gases
gas temperature
ionization
kinetics
mechanism
memristor
modeling
molecular beam epitaxy
plasma
polymerization
quantum dot
radiation intensity
reduced electric field strength
resistive switching
silicon
specific power
Ағымдағы шығарылым
Том 53, № 6 (2024)
Бастапқы
>
Іздеу
>
Автор туралы ақпарат
Автор туралы ақпарат
Kudryavtsev, S. E.
Шығарылым
Бөлім
Атауы
Файл
Том 53, № 1 (2024)
ТЕХНОЛОГИИ
Features of Electroforming and Functioning of Memristors Based on Open TiN–SiO
2
–Mo Sandwich Structures
Том 52, № 5 (2023)
ТЕХНОЛОГИИ
Effect of the Material of Electrodes on Electroformation and Properties of Memristors Based on Open Metal–SiO2–Metal Sandwich Structures
TOP