Nelineynyy koeffitsient Kholla v plenkakh trekhmernogo topologicheskogo izolyatora

Capa

Citar

Texto integral

Acesso aberto Acesso aberto
Acesso é fechado Acesso está concedido
Acesso é fechado Somente assinantes

Resumo

Исследовано магнетосопротивление и эффект Холла в транзисторных структурах, изготовленных на пленках трехмерного топологического изолятора (Bi,Sb)2(Te,Se)3. Показано, что отрицательное магнетосопротивление в слабых полях описывается квантовыми поправками к проводимости с величиной, которая зависит от напряжения на затворе и увеличивается при приближении к точке зарядовой нейтральности. Коэффициент Холла RH нелинеен в слабых магнитных полях при всех напряжениях на затворе, при этом наиболее сильная нелинейность RH наблюдается при больших отрицательных затворных напряжениях. В больших полях наклон зависимости коэффициента Холла от магнитного поля меняет свой знак в зависимости от затворного напряжения.

Sobre autores

N. Stepina

Институт физики полупроводников имени Ржанова

Email: stepina@isp.nsc.ru
Новосибирск, Россия

A. Bazhenov

Институт физики полупроводников имени Ржанова; Новосибирский государственный университет

Новосибирск, Россия; Новосибирск, Россия

A. Shumilin

Jozef Stefan Institute

Ljubljana, Slovenia

E. Zhdanov

Институт физики полупроводников имени Ржанова; Новосибирский государственный университет

Новосибирск, Россия; Новосибирск, Россия

D. Ishchenko

Институт физики полупроводников имени Ржанова

Новосибирск, Россия

V. Kirienko

Институт физики полупроводников имени Ржанова

Новосибирск, Россия

M. Aksenov

Институт физики полупроводников имени Ржанова

Новосибирск, Россия

O. Tereshchenko

Институт физики полупроводников имени Ржанова; Новосибирский государственный университет

Новосибирск, Россия; Новосибирск, Россия

Bibliografia

  1. H. Zhang, Ch.-X. Liu, X.-L. Qi, Xi. Dai, Zh. Fang, and Sh-Ch. Zhang, Nat. Phys. 5, 438 (2009).
  2. J. Zhang, C.-Z. Chang, Z. Zhang, J.Wen, X. Feng, K. Li, M. Liu, K. He, L. Wang, X. Chen, Q.-K. Xue, X. Ma, and Y. Wang, Nat. Commun. 2, 574 (2011).
  3. B.A. Bernevig and S.C. Zhang, Phys. Rev. Lett. 96, 106802 (2006).
  4. L. Fu and C. L. Kane, Phys. Rev. B 76, 045302 (2007).
  5. A. Stern, Nature 464, 187 (2010).
  6. O. Breunig and Y. Ando, Nat. Rev. Phys. 4 184 (2022).
  7. D.X. Qu, Y. S. Hor, J. Xiong, R. J. Cava, and N.P. Ong, Science 329, 821 (2010).
  8. Ol. Chiatti, Ch. Riha, D. Lawrenz, M. Busch, S. Dusari, J. Snchez-Barriga, A. Mogilatenko, L.V. Yashina, S. Valencia, A.A. ¨U nal, Ol. Rade, and S. F. Fischer. Sci. Rep. 6, 27483 (2016).
  9. V.A. Golyashov, K.A. Kokh, and O.E. Tereshchenko, Physical Review Materials 7, 124204 (2023).
  10. O.E. Tereshchenko, K.A. Kokh, V.V. Atuchin, K.N. Romanyuk, S.V. Makarenko, V.A. Golyashov, A. S. Kozhukhov, I.P. Prosvirin, and A.A. Shklyaev, JETP Lett. 94, 465468 (2011).
  11. L. He, F. Xiu, X. Yu, M. Teague, W. Jiang, Y. Fan, X. Kou, M. Lang, Y. Wang, G. Huang, N.C. Yeh, and K. L. Wang, Nano Lett. 12, 1486 (2012).
  12. M. Liu, C. Z. Chang, Z. Zhang, Y. Zhang, W. Ruan, K. He, L. L. Wang, X. Chen, J. F. Jia, S.C. Zhang, Q.K. Xue, X.C. Ma, and Y. Wang, Phys. Rev. B 83, 165440 (2011).
  13. R.K. Gopal, S. Singh, R. Chandra, and Ch. Mitra, AIP Adv. 5, 047111 (2015).
  14. H.-Zh. Lu and Sh.-Q. Shen, Phys. Rev. B 84, 125138 (2011).
  15. S. Hikami, A. Larkin, and Y. Nagaoka, Prog. Theor. Phys. 63, 707 (1980).
  16. B.A. Assaf, T. Cardinal, P. Wei, F. Katmis, J. S. Moodera, and D. Heiman, Appl. Phys. Lett. 102, 012102 (2013).
  17. N. Kumar Singh, D. Rawat, D. Dey, A. Elsukova, Per O. ´A Persson, Per Eklund, A. Taraphder, and A. Soni, Phys. Rev. B 105, 045134 (2022).
  18. P. Sahu, J.-Ya. Chen, J.C. Myers, and J.-P.Wang, Appl. Phys. Lett. 112, 122402 (2018).
  19. Ch. Shekhar, C.E. Viol Barbosa, B. Yan, S. Ouardi, W. Schnelle, G.H. Fecher, and C. Felser, Phys. Rev. B 90, 165140 (2014).
  20. N.P. Stepina, A.O. Bazhenov, A.V. Shumilin, A.Yu. Kuntsevich, V.V. Kirienko, E.Yu. Zhdanov, D.V. Ishchenko, and O.E. Tereshchenko, Phys. Rev. B 108, 115401 (2023).
  21. N.P. Stepina, D.V. Ishchenko, V.A. Golyashov, A.O. Bazhenov, E. S. Goldyreva, I.O. Akhundov, A. S. Tarasov, K.A. Kokh, and O.E. Tereshchenko, Cryst. Growth Des. 22(12), 7255 (2022).
  22. G. Shi, F. Gao, Z. Li, R. Zhang, I. Gornyi, D. Gutman, and Y. Li, Nature Communications, 14, 2596 (2023).
  23. Ch. Zhang, H.-Zh. Lu, Sh.-Q. Shen, Y.P. Chen, and F. Xiu, Sci. Bull. 63, 580 (2018).
  24. M.K. Ghimire, D. Kim, and Y.D. Park, AIP Adv. 12, 055021 (2022).
  25. G.M. Minkov, A.V. Germanenko, O.E. Rut, A.A. Sherstobitov, and B.N. Zvonkov, Phys Rev B 82, 035306 (2010).
  26. A.Yu. Kuntsevich, L.A. Morgun, and V.M. Pudalov, Phys. Rev. B 87, 205406 (2013).
  27. H. Zhang, H. Li, H. Wang, G. Cheng, H. He, and J. Wang, Appl. Phys. Lett. 113, 113503 (2018).
  28. W. Wang, W.Q. Zou, L. He, J. Peng, R. Zhang, X. S. Wu, and F.M. Zhang, J. Phys. D: Appl. Phys. 48, 205305 (2015).

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML
Baixar

Declaração de direitos autorais © Российская академия наук, 2024