Porogovaya fotogeneratsiya bieksitonov v nanokristallakh na osnove pryamozonnykh poluprovodnikov

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

Рассмотрен процесс создания двух электронно-дырочных пар (биэкситона) в нанокристалле на основе прямозонного полупроводника с невырожденной зоной проводимости за счет поглощения одного фотона с энергией, равной удвоенной ширине энергетической щели нанокристалла. Показано, что процесс может идти только при наличии межэлектронного взаимодействия и взаимодействия электронов с полем кристаллической решетки. Рассчитана скорость процесса, которая оказывается сильно зависящей от размера нанокристалла.

Авторлар туралы

S. Fomichev

Нижегородский государственный университет им. Н.И.Лобачевского

Н.Новгород, Россия

V. Burdov

Нижегородский государственный университет им. Н.И.Лобачевского

Email: burdov@phys.unn.ru
Н.Новгород, Россия

Әдебиет тізімі

  1. A.R. Beattie, J. Phys. Chem. Solids 24, 1049 (1962).
  2. E.O. Kane, Phys. Rev. 159, 624 (1967).
  3. C. L. Anderson and C.R. Crowell, Phys. Rev. B 5, 2267 (1972).
  4. R.C. Alig and S. Bloom, Phys. Rev. Lett. 35, 1522 (1975).
  5. J. Bude and K. Hess, J. Appl. Phys. 72, 3554 (1992).
  6. O. Christensen, J. Appl. Phys. 47, 689 (1976).
  7. S. Kolodinski, J.H. Werner, T. Wittchen, and H. J. Queisser, Appl. Phys. Lett. 63, 2405 (1993).
  8. M. Wolf, R. Brendel, J.H. Werner, and H. J. Queisser, J. Appl. Phys. 83, 4213 (1998).
  9. K. Hyeon-Deuk and O.V. Prezhdo, J. Phys.: Condens. Matter 24, 363201 (2012).
  10. V. I. Klimov, Annu. Rev. Condens. Matter Phys. 5, 285 (2014).
  11. I. Marri and S. Ossicini, Nanoscale 13, 12119 (2021).
  12. C. Melnychuk and P. Guyot-Sionnest, Chem. Rev. 121, 2325 (2021).
  13. M.C. Beard, A.G. Midgett, M.C. Hanna, J.M. Luther, B.K. Hughes, and A. J. Nozik, Nano Lett. 10, 3019 (2010).
  14. R.D. Schaller and V. I. Klimov, Phys. Rev. Lett. 92, 186601 (2004).
  15. M.C. Beard, K.P. Knutsen, P. Yu, J.M. Luther, Q. Song, W.K. Metzger, R. J. Ellingson, and A. J. Nozik, Nano Lett. 7, 2506 (2007).
  16. R.D. Schaller, V.M. Agranovich, and V. I. Klimov, Nat. Phys. 1, 189 (2005).
  17. V. I. Rupasov and V. I. Klimov, Phys. Rev. B 76, 125321 (2007).
  18. S.A. Fomichev and V.A. Burdov, J. Chem. Phys. 160, 234301 (2024).
  19. В.А. Бурдов, ЖЭТФ 121, 480 (2002).
  20. J.R. Chelikowsky and M. L. Cohen, Phys. Rev. B 14, 556 (1976).
  21. P.Y. Yu and M. Cardona, Fundamentals of Semiconductors, Springer-Verlag Berlin Heidelberg (2010).
  22. P. Lawaetz, Phys. Rev. B 4, 3460 (1971).
  23. M. L. Cohen and T.K. Bergstresser, Phys. Rev. 141, 789 (1966).
  24. V.A. Belyakov, V.A. Burdov, R. Lockwood, and A. Meldrum, Adv. Opt. Tech. 2008, 279502 (2008).

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML
Жүктеу

© Российская академия наук, 2024