Информация об авторе
Васильевский, И. С.
| Выпуск | Раздел | Название | Файл |
| Том 52, № 3 (2023) | МОДЕЛИРОВАНИЕ | Разработка нелинейной модели псевдоморфного 0.15 мкм рHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs транзистора | |
| Том 52, № 1 (2023) | МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ | Разработка методики построения нелинейной модели метаморфного 0.15 мкм МHEMT InAlAs/InGaAs транзистора |