Informaçao sobre o Autor
Хазанова, С. В.
| Edição | Seção | Título | Arquivo |
| Volume 53, Nº 1 (2024) | ПРИБОРЫ | Electron Transport in a Bipolar Transistor with a Superlattice in the Emitter |
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Palavras-chave
Förster effect
bipolar transistor
charge qubit
dissociation
etching
fluorocarbon gases
gas temperature
ionization
kinetics
mechanism
memristor
modeling
molecular beam epitaxy
plasma
polymerization
quantum dot
radiation intensity
reduced electric field strength
resistive switching
silicon
specific power
Edição corrente
Volume 53, Nº 6 (2024)
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Förster effect
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charge qubit
dissociation
etching
fluorocarbon gases
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plasma
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quantum dot
radiation intensity
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