Cтруктура и термоэлектрические свойства β-FeSi2, легированного кобальтом

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Исследована возможность замещения железа на кобальт в дисилициде железа. Показано, что в широкой области составов попытка замещения железа кобальтом приводит к образованию силицидов кобальта. На примере состава Fe0.985Co0.015Si2 показано, что при направленной кристаллизации и последующем отжиге образцов образуется регулярная микроструктура. Наблюдается анизотропия термоэлектрических свойств вдоль и поперек оси кристаллизации образца. В области низких концентраций кобальта при переходе к чистому β-FeSi2 резко изменяются знак и величина термоэдс.

Об авторах

Ф. Ю. Соломкин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН

Email: f.solomkin@mail.ioffe.ru
Россия, Санкт-Петербург

Н. В. Шаренкова

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН

Email: f.solomkin@mail.ioffe.ru
Россия, Санкт-Петербург

Г. Н. Исаченко

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН

Email: f.solomkin@mail.ioffe.ru
Россия, Санкт-Петербург

А. Ю. Самунин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН

Email: f.solomkin@mail.ioffe.ru
Россия, Санкт-Петербург

А. А. Шабалдин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН

Email: f.solomkin@mail.ioffe.ru
Россия, Санкт-Петербург

И. А. Кулик

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН

Email: f.solomkin@mail.ioffe.ru
Россия, Санкт-Петербург

Н. А. Архарова

НИЦ “Курчатовский институт”

Email: f.solomkin@mail.ioffe.ru

Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Курчатовского Комплекса кристаллографии и фотоники 

Россия, Москва

М. С. Лукасов

НИЦ “Курчатовский институт”

Автор, ответственный за переписку.
Email: maxim-sl@list.ru

Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Курчатовского Комплекса кристаллографии и фотоники 

Россия, Москва

Список литературы

  1. Ivanenko L.I., Shaposhnikov V.L., Filonov A.B., Krivosheeva A.V., Borisenko V.E., Migas D.B., Miglio L., Schumann J. // Thin Solid Films. 2004. V. 461. P. 141. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.02.088
  2. Borisenko V.E., Ivanenko L., Lange H., Heinrich A. // Semicond. Silicides. 2000. V. 39. P. 243.
  3. Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС. М.: Мир, 1986. 176 c.
  4. Винокурова П.И., Власов А.В., Кулатов Э.Т. // Тр. ИОФ АН. 1991. Т. 32. С. 26.
  5. Гельд П.В., Сидоренко Ф.А. Силициды переходных металлов четвертого периода. М.: Металлургия, 1971. 584 с.
  6. Гельд В.П., Повзнер А.А., Абельский Ш.Ш. // ДАН СССР. 1990. Т. 313. № 5. С. 1107.
  7. Kataoka K., Hattori K., Miyatake Y., Diamon H. // Phys. Rev. B. 2006. V. 74. № 12. P. 155406. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.74.155406
  8. Le Tonquesse S., Verastegui Z., Huynh H., Dorcet V., Guo Q., Demange V., Prestipino С., Berthebaud В., Mori T., Pasturel M. // ACS Appl. Energy Mater. 2019. V. 2. № 12. P. 8525. https://doi.org/10.1021/acsaem.9b01426
  9. Cheng J., Gan L., Zhang J., Xi J., Xi L., Yang J., Deng T., Qiu P., Shi X., Chen L. // J. Mater. Sci. Technol. 2024. V. 187. P. 248. https://doi.org/10.1016/j.jmst.2023.11.039
  10. Sam S., Nakatsugawa H., Okamoto Y. // Jpn. J. Appl. Phys. 2022. V. 61. № 11. P. 111002. https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac96b7
  11. Istratov A.A., Hieslmair H, Weber E.R. // Appl. Phys. A. 2000. V. 70. P. 489. https://doi.org/10.1007/s003390051074
  12. Desk Handbook: Phase Diagrams for Binary Alloys / Ed. Okamoto H. New York: ASM International, Materials Park, 2000.
  13. Christensen N.E. // Phys. Rev. B. 1990. V. 42. P. 7148. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.42.7148
  14. Zaitsev V.K. // Handbook of Thermoelectrics / Ed. Rowe D.M. New York: CRC Press, 1995. P. 299.
  15. Хансен М., Андерко К., Эллиот Р. Структуры двойных сплавов. М.: Металлургия, 1970. 472 c.
  16. Соломкин Ф.Ю., Самунин А.Ю., Картенко Н.Ф., Колосова А.С. // IX Межгосударственный семинар по термоэлектрикам и их применениям. Санкт-Петербург, 16–17 ноября 2004. C. 260.
  17. Картенко Н.Ф., Щеглов М.П., Соломкин Ф.Ю., Ефимов А.Н. // VIII Межгосударственный семинар по термоэлектрикам и их применениям. Санкт-Петербург, 12–13 ноября 2002. C. 211.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Российская академия наук, 2024