Тонкие текстурированные пленки CdTe на подложках из кремния и сапфира: термическое напыление из газовой фазы и структурная характеризация

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Методом термического напыления из газовой фазы выращены тонкие пленки CdTe на подложках Si (111) и Al2O3 (0001). Полученные пленки изучены методами атомно-силовой и растровой электронной микроскопии, а также рентгенофазового анализа. Обнаружено, что на подложках Al2O3 (0001) возможно получение тонких пленок как вюрцитной модификации CdTe, так и сфалеритной. На подложках Si возможно получение тонких пленок сфалеритной модификации CdTe. Показано, что элементный состав тонких пленок близок к стехиометрии, причем в случае тонких пленок, выращенных на Al2O3 (0001), отклонение не превышало 1 ат. %.

Полный текст

Доступ закрыт

Об авторах

И. О. Кошелев

Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ “Курчатовский институт”

Автор, ответственный за переписку.
Email: iliakoscheleff@yandex.ru
Россия, Москва

И. С. Волчков

Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ “Курчатовский институт”

Email: iliakoscheleff@yandex.ru
Россия, Москва

П. Л. Подкур

Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ “Курчатовский институт”

Email: iliakoscheleff@yandex.ru
Россия, Москва

Д. Р. Хайретдинова

Национальный исследовательский технологический университет “МИСИС”

Email: iliakoscheleff@yandex.ru
Россия, Москва

И. М. Долуденко

Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ “Курчатовский институт”

Email: iliakoscheleff@yandex.ru
Россия, Москва

В. М. Каневский

Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ “Курчатовский институт”

Email: iliakoscheleff@yandex.ru
Россия, Москва

Список литературы

  1. Owens A., Peacock A. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A. 2004. V. 531. P. 18. https://doi.org/10.1016/j.nima.2004.05.071
  2. Fonthal G., Tirado-Mejıa L., Marın-Hurtado J.I. et al. // J. Phys. Chem. Solids. 2000. V. 61. № 4. P. 579. https://doi.org/10.1016/S0022-3697(99)00254-1
  3. Rühle S. // Sol. Energy. 2016. V. 130. P. 139. https://doi.org/10.1016/j.solener.2016.02.015
  4. Munshi A.H., Kephart J.M., Abbas A. et al. // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 2018. V. 176. P. 9. https://doi.org/10.1016/j.solmat.2017.11.031
  5. Ivanov Yu.M. // J. Сryst. Growth. 1996. V. 161. № 1–4. P. 12. https://doi.org/10.1016/0022-0248(95)00604-4
  6. Михайлов В.И., Поляк Л.Е. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтр. исслед. 2021. Т. 7. C. 43. https://doi.org/10.31857/S102809602107013X
  7. Zhang S., Zhang J., Qiu X. et al. // J. Cryst. Growth. 2020. V. 546. P. 125756. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2020.125756
  8. Михайлов В., Буташин А., Каневский В. и др. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтр. исслед. 2011. Т. 6. C. 97.
  9. Ramanujam J., Bishop D., Todorov T. et al. // Prog. Mater. Sci. 2020. V. 110. P. 100619. https://doi.org/10.1016/j.pmatsci.2019.100619
  10. Dharmadasa I., Echendu O., Fauzi F. et al. // J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 2017. V. 28. P. 2343. https://doi.org/10.1007/s10854-016-5802-9
  11. Quintana-Silva G., Sobral H., Rangel-Cárdenas J. // Chemosensors. 2022. V. 11. № 1. P. 4. https://doi.org/10.3390/chemosensors11010004
  12. Quiñones-Galván J., Camps E., Campos-González E. et al. // J. Appl. Phys. 2015. V. 118. № 12. P. 125304. https://doi.org/10.1063/1.4931677
  13. Гельман Ю., Дымшиц Ю., Самохвалов Ю. и др. // Приборы и техника эксперимента. 1994. № 5. C. 181.
  14. Jiménez-Sandoval S., Meléndez-Lira M., Hernández-Calderón I. // J. Appl. Phys. 1992. V. 72. № 9. P. 4197. https://doi.org/10.1063/1.352230
  15. Zanio K. Semiconductors and Semimetals. V. 13. New York: Academic press, INC., 1978. 235 p.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать
2. Рис. 1. Расположение подложки относительно области распыления CdTe в установке термического напыления (а) и зависимость отклонения содержания Cd (ат. %) от стехиометрии (б)

Скачать (177KB)
Метаданные
3. Рис. 2. Рентгеновские дифрактограммы тонких пленок CdTe, выращенных на подложках Si (а) и Al2O3 (б). На врезке – увеличенная область дифрактограммы для тонкой пленки, выращенной на подложке Al2O3, в интервале углов 42°–52°. Номера кривых соответствуют номерам областей на рис. 1а

Скачать (237KB)
Метаданные
4. Рис. 3. АСМ-изображения тонкой пленки CdTe, выращенной на подложке Al2O3 (0001): а, б, в – области 1, 2, 3 соответственно. На врезке – увеличенный вид крупных кристаллитов, предположительно, гексагональной фазы вюрцита

Скачать (258KB)
Метаданные
5. Рис. 4. АСМ-изображения тонкой пленки CdTe, выращенной на подложке Si (111): а, б, в – области 1, 2, 3 соответственно. На врезке – увеличенный вид области 1

Скачать (223KB)
Метаданные

© Российская академия наук, 2024